位置：SPP11N65C3 > SPP11N65C3详情
SPP11N65C3中文资料
SPP11N65C3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Reduced trr, Qrr, and IRRM
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Low switching losses due to reduced Qrr
• Ultra low gate charge (Qg)
• Avalanche energy rated (UIS)
SPP11N65C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPP11N65C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 11A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-17 19:19:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO220 |
10026 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
VBsemi |
24+ |
TO220 |
5000 |
全新原装正品,现货销售 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO220 |
18260 |
原装进口假一罚十 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Infineon |
23+ |
TO-220AB |
7750 |
全新原装优势 |
|||
INFINEO |
2020+ |
TO-220 |
20 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
INF进口原 |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
INFINEON |
1716+ |
TO-220AB |
8500 |
只做原装进口,假一罚十 |
|||
Infineon |
24+ |
NA |
3920 |
进口原装正品优势供应 |
|||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
SPP11N65C3XKSA1 价格
参考价格：￥9.3867
型号：SPP11N65C3XKSA1 品牌：Infineon 备注：这里有SPP11N65C3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPP11N65C3批发/采购报价，SPP11N65C3行情走势销售排排榜，SPP11N65C3报价。
SPP11N65C3 资料下载更多...
SPP11N65C3 芯片相关型号
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
