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SPP11N60C3中文资料
SPP11N60C3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Reduced trr, Qrr, and IRRM
• Low figure-of-merit (FOM) Ron x Qg
• Low input capacitance (Ciss)
• Low switching losses due to reduced Qrr
• Ultra low gate charge (Qg)
• Avalanche energy rated (UIS)
SPP11N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPP11N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 11A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-17 16:49:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEONE |
23+ |
TO-220 |
18689 |
原装正品价格优惠,长期优势供应 |
|||
Infineon Technologies |
24+ |
PG-TO220-3-1 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
10000 |
只做原装欢迎含税交易,假一赔十,放心购买 |
|||
ST |
851 |
TO-220 |
3300 |
全新原装绝对自己公司现货 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
65400 |
||||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
17703 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
20+原装正品 |
TO220 |
6000 |
大量现货,免费发样。 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO220F |
6996 |
只做原装正品现货 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-220 |
5 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
INFINEON |
19+ |
300 |
PG-TO220-3 |
SPP11N60C3XKSA1 价格
参考价格：￥8.5863
型号：SPP11N60C3XKSA1 品牌：Infineon 备注：这里有SPP11N60C3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPP11N60C3批发/采购报价，SPP11N60C3行情走势销售排排榜，SPP11N60C3报价。
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VBSEMI相关电路图
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
