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SPP04N60C2中文资料

厂家型号

SPP04N60C2

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9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

- Bulk

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SPP04N60C2数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive

Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt

Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage

and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

SPP04N60C2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SPP04N60C2

  • 制造商

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述

    - Bulk

更新时间:2026-1-30 10:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
TO220
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBSEMI/台湾微碧
24+
TO-220
60000
VBSEMI/台湾微碧
23+
TO-220
50000
全新原装正品现货,支持订货
I
22+
P-TO220-3-1
6000
十年配单,只做原装
INFINEON
24+
TO-220
8500
原厂原包原装公司现货,假一赔十,低价出售
Infineon(英飞凌)
25+
标准封装
8800
公司只做原装,详情请咨询
Infineon(英飞凌)
24+
N/A
9855
原装正品现货支持实单
Infineon(英飞凌)
2511
标准封装
7000
电子元器件采购降本30%!原厂直采,砍掉中间差价
Infineon
原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品