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SPP02N60S5中文资料
SPP02N60S5数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
SPP02N60S5产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPP02N60S5
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 600V 1.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-7-30 16:12:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO-220 |
7793 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
Infineon |
17+ |
TO-220 |
6200 |
||||
INF |
23+ |
TO-220AB |
10000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
T0-220 |
7936 |
||||
INFINEON |
23+ |
NA |
19960 |
只做进口原装,终端工厂免费送样 |
|||
INFINEON |
22+ |
TO-220 |
36368 |
原装现货库存.价格优势 |
|||
INFINE0N |
23+ |
TO-220-3 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
INFINEON |
23+ |
TO-220 |
6000 |
专做原装正品,假一罚百! |
|||
INFINEON |
25+23+ |
TO220 |
32735 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
|||
infineon |
1822+ |
TO-220 |
9852 |
只做原装正品假一赔十为客户做到零风险!! |
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9674条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
