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FEATURES
• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive
Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt
Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage
and Current
• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC
SPD01N60C3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SPD01N60C3
- 功能描述
MOSFET COOL MOS N-CH 650V 0.8A
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-13 16:36:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO252 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7233 |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO252 |
9800 |
一级代理/全新原装现货/长期供应! |
|||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
SOT-252 |
17524 |
原装进口假一罚十 |
|||
INFINEON/英飞凌 |
2019+ |
TO252 |
6700 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
N/A |
12000 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
|||
INFINEON |
24+ |
TO252 |
112105 |
||||
INFINEON |
2016+ |
SOT252 |
5500 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
|||
infineon |
1415+ |
28500 |
全新原装正品,优势热卖 |
||||
INFINEON |
17+ |
NA |
6200 |
100%原装正品现货 |
SPD01N60C3 价格
参考价格：￥2.4522
型号：SPD01N60C3 品牌：Infineon 备注：这里有SPD01N60C3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SPD01N60C3批发/采购报价，SPD01N60C3行情走势销售排排榜，SPD01N60C3报价。
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
