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SIR424DP-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIR424DP-T1-GE3

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1784.1Kbytes

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7

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIR424DP-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIR424DP-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-8 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SIR424DP-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.4753

型号:SIR424DP-T1-GE3 品牌:Vishay / Siliconix 备注:这里有SIR424DP-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIR424DP-T1-GE3批发/采购报价,SIR424DP-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIR424DP-T1-GE3报价。