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SIR424DP-T1-GE3中文资料
SIR424DP-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SIR424DP-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 5.5mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay Siliconix |
24+ |
PowerPAK? SO-8 |
30000 |
晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
|||
VISHAY |
2020+ |
QFN8 |
18600 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
Vishay(威世) |
2249+ |
PowerPAK SO-8 |
58143 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
PowerPAK-SO-8 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY |
12+ |
QFN8 |
3077 |
全新原装 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
DFN5*6 |
502585 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
VISHAY |
16+ |
QFN8 |
8800 |
进口原装大量现货热卖中 |
|||
Vishay |
24+ |
NA |
3059 |
进口原装正品优势供应 |
|||
VISHAY |
1735+ |
QFN |
6528 |
科恒伟业!只做原装正品!假一赔十! |
SIR424DP-T1-GE3 价格
参考价格:¥2.4753
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- KSE
- MCP608-I/SN
- MCP608T-I/SN
- P4N60FI
- P4NA60
- P4NA80FI
- P4NC60A
- P4NK50Z
- P4NK50ZD
- P4NK50ZI
- P4NK60
- P4NK60Z
- P4NK80ZFP
- SIR422DP_V01
- SIR424DP_V01
- SIR426DP_V01
- STB4N62K3
- STB4NC60T4
- STB4NK60Z
Datasheet数据表PDF页码索引
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司
微碧半导体(台湾)有限公司(VBsemi Electronics Co.,Ltd)是一家国家高新技术企业,专注于中低压MOSFET(12V~250V)、高压MOSFET(300V~1000V)、超结MOSFET(500V~1700V)功率MOSFET的制造,涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心,积极开展大规模生产,致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准,拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时,企业引进了多台先进的国外设备,涵盖了功率器件的直