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SIA433EDJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA433EDJ-T1-GE3

文件大小

1222.62Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIA433EDJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA433EDJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET -20V 18mOhm@4.5V 12A P-Ch G-III

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-14 9:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SC-70-6
32360
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SIA433EDJ-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.5410

型号:SIA433EDJ-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SIA433EDJ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SIA433EDJ-T1-GE3批发/采购报价,SIA433EDJ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SIA433EDJ-T1-GE3报价。