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SIA413DJ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SIA413DJ-T1-GE3

文件大小

1252.35Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SIA413DJ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SIA413DJ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 12A 19W 29mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-16 10:20:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY
19+
QFN
8036
VISHAY
23+
QFN6
3646
原厂原装正品
VISHAY/威世
2025+
QFN6
5000
原装进口,免费送样品!
VISHAY
22+
QFN-6
8000
原装正品现货假一罚十
VISHAY(威世)
24+
SC-70-6L
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
2024+
N/A
70000
柒号只做原装 现货价秒杀全网
VISHAY
12+
QFN6
0
原装现货价格有优势量大可以发货
Vishay/Siliconix
24+
SC-70-6
7500
VISHAY
0935+
QFN6
630
VISHAY
2016+
QFN
2500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!

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