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SI6913DQ-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI6913DQ-T1-GE3

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896.88Kbytes

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6

功能描述

Dual P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 12V 5.8A 1.14W 21mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI6913DQ-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI6913DQ-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 12V 5.8A 1.14W 21mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
23+
TSSOP8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
25+
TSSOP-8
32360
VISHAY/威世全新特价SI6913DQ-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
MURATA/村田
23+
0805L
8800
只做原装正品现货
VISHAY(威世)
24+
TSSOP-8
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
2024+
N/A
70000
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SI6913DQ-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.3629

型号:SI6913DQ-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI6913DQ-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI6913DQ-T1-GE3批发/采购报价,SI6913DQ-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI6913DQ-T1-GE3报价。