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SI5920DC-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI5920DC-T1-GE3

文件大小

1105.42Kbytes

页面数量

8

功能描述

Dual N-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET N-CH 8V 1206-8

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI5920DC-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI5920DC-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET N-CH 8V 1206-8

  • RoHS

  • 类别

    分离式半导体产品 >> FET - 阵列

  • 系列

    TrenchFET®

  • 产品目录绘图

    8-SOIC Mosfet Package

  • 标准包装

    1

  • 系列

    - FET

  • 2 个 N 沟道(双) FET

  • 特点

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss)

    60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C

    3A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C

    75 毫欧 @ 4.6A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大)

    3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs

    20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds

    - 功率 -

  • 最大

    1.4W

  • 安装类型

    表面贴装

  • 封装/外壳

    PowerPAK? SO-8

  • 供应商设备封装

    PowerPAK? SO-8

  • 包装

    Digi-Reel®

  • 产品目录页面

    1664(CN2011-ZH PDF)

  • 其它名称

    SI7948DP-T1-GE3DKR

更新时间:2025-11-28 15:36:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VIS
23+
ECH8
27000
原装正品,假一罚十
VISHAY
17+
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6200
100%原装正品现货
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原装现货假一罚十
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