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SI5920DC-T1-GE3中文资料
SI5920DC-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI5920DC-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET N-CH 8V 1206-8
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
- 系列
TrenchFET®
- 产品目录绘图
8-SOIC Mosfet Package
- 标准包装
1
- 系列
- FET
- 型
2 个 N 沟道（双） FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
60V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
3A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
75 毫欧 @ 4.6A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
3V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
20nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
- 功率 -
- 最大
1.4W
- 安装类型
表面贴装
- 封装/外壳
PowerPAK? SO-8
- 供应商设备封装
PowerPAK? SO-8
- 包装
Digi-Reel®
- 产品目录页面
1664(CN2011-ZH PDF)
- 其它名称
SI7948DP-T1-GE3DKR
更新时间：2024-5-4 10:02:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
ECH8 |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
VISHAY |
23+ |
MLP8 |
1350 |
只做原装全系列供应价格优势 |
|||
VISHAY |
2017+ |
MLP8 |
42588 |
深圳香港代理原装现货库存(美国-日本-台湾)可开正规增 |
|||
VISHAY |
2017+ |
MLP8 |
6528 |
只做原装正品!假一赔十! |
|||
VIS |
23+ |
ECH8 |
27000 |
原装正品,假一罚十 |
|||
VISHAY |
17+ |
MLP8 |
6200 |
100%原装正品现货 |
|||
23+ |
N/A |
46590 |
正品授权货源可靠 |
||||
VISHAY/威世 |
1925+ |
1206-8ChipFET |
45000 |
真实库存!原装特价!实单必成交! |
|||
VISHAY |
23+ |
MLP8 |
20000 |
||||
VISHAY |
2020+ |
MLP8 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
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VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
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