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SI4942DY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4942DY-T1-E3

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1005.04Kbytes

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9

功能描述

Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET

MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4942DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4942DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 40V 7.4A 2.1W 21mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-16 13:31:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI/微碧半导体
24+
SOP8
60000
VBSEMI/微碧半导体
24+
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7800
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