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SI4900DY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4900DY-T1-E3

文件大小

1089.01Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual N-Channel 60 V (D-S) 175 째C MOSFET

MOSFET 60V 5.3A 3.1W

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4900DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4900DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 60V 5.3A 3.1W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-15 11:49:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SO-8
20300
VISHAY/威世原装特价SI4900DY-T1-E3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY/威世
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SI4900DY-T1-E3 价格

参考价格:¥2.8680

型号:SI4900DY-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI4900DY-T1-E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4900DY-T1-E3批发/采购报价,SI4900DY-T1-E3行情走势销售排排榜,SI4900DY-T1-E3报价。