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SI4562DY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4562DY-T1-E3

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1232.29Kbytes

页面数量

14

功能描述

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4562DY-T1-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg and UIS Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Motor Drive

• Mobile Power Bank

SI4562DY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4562DY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 7.1/6.2A 2W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-3 17:00:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
SOP8
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高品质替代,技术支持,参数选型
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63258
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VISHAY
20+
SOP8
2960
诚信交易大量库存现货

SI4562DY-T1-E3 价格

参考价格:¥11.1982

型号:SI4562DY-T1-E3 品牌:Vishay 备注:这里有SI4562DY-T1-E3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI4562DY-T1-E3批发/采购报价,SI4562DY-T1-E3行情走势销售排排榜,SI4562DY-T1-E3报价。