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SI4532CDY-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI4532CDY-T1-GE3

文件大小

1233.16Kbytes

页面数量

14

功能描述

N- and P-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4532CDY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4532CDY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.0/4.3A 2.78W 47/89mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-3 18:35:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOP8
20300
VISHAY/威世原装特价Si4532CDY-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY/威世
24+
SOP-8
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23+
SOP8
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高品质替代,技术支持,参数选型
VISHAY(威世)
24+
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支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY/威世
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Vishay(威世)
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SOIC-8_150mil
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原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同

SI4532CDY-T1-GE3 价格

参考价格:¥0.8884

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