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SI4410BDY-T1-E3中文资料

厂家型号

SI4410BDY-T1-E3

文件大小

1086.13Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 650 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 10A 2.5W

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4410BDY-T1-E3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Compliant to RoHS directive 2002/95/EC

SI4410BDY-T1-E3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4410BDY-T1-E3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 10A 2.5W

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-31 17:25:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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SI4410BDY-T1-E3-CUTTAPE 价格

参考价格:¥1.8845

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