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SI4190DY-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI4190DY-T1-GE3

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1035.369Kbytes

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9

功能描述

N-Channel 100-V (D-S) Super Trench Power MOSFET

MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4190DY-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Super Trench technology Power MOSFET

• Excellent gate charge x Rds (on) product(FOM)

• Very low on-resfistance Rds (on)

• 100 Rg and UIS Tested

APPLICATIONS

• DC/DC Primary Side Switch

• Telecom/Server

• Motor Drive Control

• Synchronous Rectification

SI4190DY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4190DY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET N-CHANNEL 100-V(D-S)

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-12-10 9:02:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY
25+
SOP-8
3000
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VISHAY/威世
23+
SOP-8
50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
21+
SOIC-8
10000
原装现货假一罚十
Vishay(威世)
2021/2022+
标准封装
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
VISHAY/威世
24+
NA/
30746
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票
VISHAY
20+
SOP8
31
原装
VISHAY/威世
24+
SOP-8
60000
全新原装现货
Vishay(威世)
24+
N/A
11800
可配单提供样品
Vishay(威世)
25+
N/A
8800
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