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SI4104DY-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI4104DY-T1-GE3

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9

功能描述

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI4104DY-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• Extremely Low Qgd for Switching Losses

• 100 Rg Tested

• 100 Avalanche Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• Primary Side Switch

SI4104DY-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI4104DY-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 100V 4.6A 5.0W 105mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-12 13:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
23+
SOP8
50000
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VBsemi
21+
SOP8
10026
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBsemi
25+
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11609
VBsemi
24+
SOP8
11000
假一赔百原装正品价格优势实单可谈
VBSEMI/台湾微碧
24+
SOP-8
60000
NK/南科功率
2025+
SOP-8
986966
国产
VISHAY/威世
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