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SI3585DV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3585DV-T1-GE3

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1126.68Kbytes

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10

功能描述

N- and P-Channel V (D-S) MOSFET

MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3585DV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

SI3585DV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3585DV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 20V 2.4/1.8A 1.15W 125/200mohm @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-12 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOT23-6
39520
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VISHAY/威世
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
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24+
TSOP-6
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50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世
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50000
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VISHAY/威世
21+
SOT-163
10000
原装现货假一罚十
VISHAY/威世
23+
TSOP-6
11200
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SI3585DV-T1-GE3 价格

参考价格:¥2.2366

型号:SI3585DV-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI3585DV-T1-GE3多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI3585DV-T1-GE3批发/采购报价,SI3585DV-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI3585DV-T1-GE3报价。