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SI3460DDV-T1-GE3中文资料
SI3460DDV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
SI3460DDV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3460DDV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 20V 7.9A N-CH MOSFET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-7 17:26:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY/威世 |
24+ |
TSOP-6 |
45000 |
热卖优势现货 |
|||
VISHAY |
16+ |
TSOP-6 |
6350 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
60000 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
||||
VISHAY/威世 |
2019+PB |
TSOP-6 |
41120 |
原装正品 可含税交易 |
|||
Vishay(威世) |
2249+ |
TSOP-6 |
59247 |
二十余载金牌老企 研究所优秀合供单位 您的原厂窗口 |
|||
VISHAY(威世) |
24+ |
SOT-23-6 |
9908 |
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT23-6 |
501809 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
|||
VISHAY |
2024+ |
N/A |
70000 |
柒号只做原装 现货价秒杀全网 |
|||
SILICONIXVISHAY |
21+ |
NA |
39000 |
只做原装,假一罚十 |
|||
Vishay(威世) |
24+ |
TSOP-6 |
9415 |
原厂可订货,技术支持,直接渠道。可签保供合同 |
SI3460DDV-T1-GE3 价格
参考价格：￥0.6899
型号：SI3460DDV-T1-GE3 品牌：VISHAY 备注：这里有SI3460DDV-T1-GE3多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，SI3460DDV-T1-GE3批发/采购报价，SI3460DDV-T1-GE3行情走势销售排排榜，SI3460DDV-T1-GE3报价。
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
