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SI3457BDV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3457BDV-T1-GE3

文件大小

450.59Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBsemi Electronics Co. Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

SI3457BDV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3457BDV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 5.0A 2.0W 54mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-15 16:55:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI
19+
TSOP-6
29600
绝对原装现货,价格优势!
VBsemi(台湾微碧)
2112+
TSOP-6
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
VBSEMI台湾微碧
23+
TSOP-6
22820
原装正品,支持实单
VISHAY
23+
SOT23-6
12000
全新原装,优势现货
VISHAY/威世
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
23+
N/A
59210
正品授权货源可靠
VB
2019
TSOP-6
55000
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VISHAY/威世
21+
SOT23-6
50000
终端可免费提供样品,欢迎咨询
VISHAY
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TSOP-6
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V
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TSOP-6
32012

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  • Vishay

VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春,是一家集MOSFET晶圆开发设计,封装测试,销售服务,技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商,致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管,使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾,公司以VBsemi品牌系列产品为核心,积极批量开发,并严格执行ISO9001国际质量标准,拥有10余认证以及多种荣誉称号。