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SI3456DV-T1-E3中文资料
SI3456DV-T1-E3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
SI3456DV-T1-E3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3456DV-T1-E3
- 功能描述
MOSFET 30V 5.1A 2W
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2025-5-11 14:04:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VISHAY |
23+ |
SOT23-6 |
12000 |
全新原装,优势现货 |
|||
VISHAY/威世 |
24+ |
SOT-23-6 |
45000 |
热卖优势现货 |
|||
VISHAY |
16+ |
SOT-23-6 |
23400 |
进口原装现货/价格优势! |
|||
VISHAY |
22+ |
SOT23-6 |
5964 |
全新原装正品 现货 优势供应 |
|||
VISHAY/威世 |
2019+PB |
SOT-23-6 |
89000 |
原装正品 可含税交易 |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT23-6 |
26200 |
原装现货,诚信经营! |
|||
VISHAY |
24+ |
SOT23 |
12000 |
||||
VISHAY |
2020+ |
SOT23-6 |
3980 |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
|||
VISHAY |
24+ |
TSOP-6 |
6232 |
公司原厂原装现货假一罚十!特价出售!强势库存! |
|||
VISHAY |
23+ |
SOT23-6 |
30000 |
原装正品,假一罚十 |
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- A-71395-1012
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- FOD3182SD
- FOD3182SDV
- FOD3182SV
- FOD3182TSR2
- FOD3182TSR2V
- FOD3182TSV
- FOD3182TV
- FOD3182V
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VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
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- P95
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
