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SI3456BDV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3456BDV-T1-GE3

文件大小

487.26Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3456BDV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• Low On-Resistance

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• DC/DC Converters, High Speed Switching

SI3456BDV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3456BDV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 6.0A 2.0W 35mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-10 16:04:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
VISHAY/威世
24+
SOT23-6
9671
原厂授权代理 价格绝对优势
VISHAY
2021+
SOT23-6
6800
原厂原装,欢迎咨询
VISHAY/威世
24+
TSOP-6
501467
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
VISHAY
2024+
N/A
70000
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TSOP-6
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VISHAY/威世
18+
TSOP-6
6000
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VISHAY
20+
原装
65790
原装优势主营型号-可开原型号增税票
VISHAY/威世
24+
SOT23-6
3800
大批量供应优势库存热卖