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SI3424BDV-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI3424BDV-T1-GE3

文件大小

477.11Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 30 V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI3424BDV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• Low On-Resistance

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• DC/DC Converters, High Speed Switching

SI3424BDV-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI3424BDV-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-11-30 14:13:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOT23-6
39474
VISHAY/威世全新特价Si3424BDV-T1-GE3即刻询购立享优惠#长期有货
VISHAY/威世
2025+
SOT-163
5000
原装进口,免费送样品!
VISHAY/威世
2019+
SOT-163
78550
原厂渠道 可含税出货
VISHAY/威世
20+
TSOP-6
120000
原装正品 可含税交易
VISHAY(威世)
24+
SOT-23-6
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
VISHAY
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SI3424BDV-T1-GE3 价格

参考价格:¥1.2588

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