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SI3424BDV-T1-GE3中文资料
SI3424BDV-T1-GE3数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Halogen-free According to IEC 61249-2-21
Definition
• TrenchFET® Power MOSFET
• Low On-Resistance
• 100 Rg Tested
• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
APPLICATIONS
• DC/DC Converters, High Speed Switching
SI3424BDV-T1-GE3产品属性
- 类型
描述
- 型号
SI3424BDV-T1-GE3
- 功能描述
MOSFET 30V 8.0A 2.98W 28mohm @ 10V
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间:2025-11-30 14:13:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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VISHAY/威世 |
25+ |
SOT23-6 |
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VISHAY/威世 |
2019+ |
SOT-163 |
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原厂渠道 可含税出货 |
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VISHAY/威世 |
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SI3424BDV-T1-GE3 价格
参考价格:¥1.2588
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