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SI2318DS-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI2318DS-T1-GE3

文件大小

1025.45Kbytes

页面数量

9

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI2318DS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2318DS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 40V 3.9A 1.25W 45mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-2-2 16:11:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBSEMI微碧
2407+
SOT233
30098
全新原装!仓库现货,大胆开价!
VBsemi/台湾微碧
25+
SOT23-3
30000
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VISHAY/威世
25+
SOT-23
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VISHAY/威世
2025+
SOT-23
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VISHAY/威世
2019+
SOT-23
78550
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VISHAY
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NK/南科功率
9420
SOT-23
36520
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SKSEMI/VIS
23+
SOT-23
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SI2318DS-T1-GE3 价格

参考价格:¥0.9845

型号:SI2318DS-T1-GE3 品牌:Vishay 备注:这里有SI2318DS-T1-GE3多少钱,2026年最近7天走势,今日出价,今日竞价,SI2318DS-T1-GE3批发/采购报价,SI2318DS-T1-GE3行情走势销售排排榜,SI2318DS-T1-GE3报价。