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SI2316DS-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI2316DS-T1-GE3

文件大小

487.41Kbytes

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9

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI2316DS-T1-GE3数据手册规格书PDF详情

FEATURES

• Halogen-free According to IEC 61249-2-21

Definition

• TrenchFET® Power MOSFET

• 100 Rg Tested

• Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC

APPLICATIONS

• DC/DC Converter

SI2316DS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2316DS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 30V 3.4A 0.96W 50mohm @ 10V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 14:14:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
25+
SOT-23
39441
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VISHAY/威世
2019+
SOT-23
78550
原厂渠道 可含税出货
VISHAY(威世)
24+
TO-236-3
9908
支持大陆交货,美金交易。原装现货库存。
NK/南科功率
9420
SOT-23
36520
国产南科平替供应大量
VISHAY/威世
23+
SOT-23
50000
全新原装正品现货,支持订货
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50000
全新原装正品现货,支持订货
VISHAY/威世通
21+
SOT-23
10000
原装现货假一罚十
Vishay(威世)
2021/2022+
标准封装
6500
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品