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SI2305ADS-T1-GE3中文资料

厂家型号

SI2305ADS-T1-GE3

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1035.14Kbytes

页面数量

9

功能描述

P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

SI2305ADS-T1-GE3产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    SI2305ADS-T1-GE3

  • 功能描述

    MOSFET 8.0V 4.1A 1.7W 40 mohms @ 4.5V

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2026-1-26 15:05:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi(台湾微碧)
2447
SOT23-3
105000
3000个/圆盘一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,
VISHAY/威世
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24+
SMD
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VISHAY/威世
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VISHAY
24+
SOT23-3
32650
一级代理/放心采购