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芯片资料

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位置：RQJ0603LGDQATL-E > RQJ0603LGDQATL-E详情

厂家型号	RQJ0603LGDQATL-E
文件大小	1124.22Kbytes
页面数量	10页
功能描述	P-Channel 60-V (D-S) MOSFET Silicon P Channel MOS FET Power Switching
数据手册	下载地址一下载地址二到原厂下载
生产厂商	VBSEMI

FEATURES

• Isolated Package

• High Voltage Isolation = 2.5 kVRMS (t = 60 s;

f = 60 Hz)

• Sink to Lead Creepage Distance = 4.8 mm

• P-Channel

• 175 °C Operating Temperature

• Dynamic dV/dt Rating

• Low Thermal Resistance

• Lead (Pb)-free Available

RQJ0603LGDQATL-E供应商...

更新时间：2026-2-28 18:13:00

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