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PHX8NQ11T中文资料
PHX8NQ11T产品属性
- 类型
描述
- 型号
PHX8NQ11T
- 功能描述
MOSFET TRENCHMOS(TM) FET
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
PH |
24+ |
SOT186ATO-220F |
8866 |
||||
PH |
23+ |
SOT186A |
21000 |
全新原装 |
|||
恩XP |
23+ |
TO-220FT |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-220 |
69820 |
终端可以免费供样,支持BOM配单! |
|||
恩XP |
2022+ |
SOT186AT |
12888 |
原厂代理 终端免费提供样品 |
|||
N |
23+ |
TO-220F |
6000 |
原装正品,支持实单 |
|||
N |
22+ |
TO-220F |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
|||
N |
25+ |
TO-TO-220F |
37650 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2203 Isolated Tab |
8000 |
只做原装现货 |
|||
恩XP |
23+ |
TO2203 Isolated Tab |
7000 |
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- EMK042CG6R3CD-W
- IPSSAT
- IWPTLU-AP015-00
- IWPTU-C0447-00
- MZTTC
- NLV14053BDG
- NTDM-HS-15-200
- NTDM-HS-48-124
- PBT-RB010SGESSSALA0Z
- PBT-RB016SG1SEFALA0Z
- PBT-RB040AG1SSFALA0Z
- PBT-RB040SG1SSNVLC0Z
- PBT-RB1X0SG2SS0VMC0Z
- PBT-RB6X0SG1SENVLC0Z
- PHU77NQ03T
- PHU78NQ03LT
- PJ4407
- SH-3052RH
- SMAJ85CA
- T55A226M6R3C0300
- T55D337M004C0050
- T55D337M6R3C0025
- T55V337M004C0040
Datasheet数据表PDF页码索引
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VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司
微碧半导体(台湾)有限公司(VBsemi Electronics Co.,Ltd)是一家国家高新技术企业,专注于中低压MOSFET(12V~250V)、高压MOSFET(300V~1000V)、超结MOSFET(500V~1700V)功率MOSFET的制造,涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心,积极开展大规模生产,致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准,拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时,企业引进了多台先进的国外设备,涵盖了功率器件的直