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NTMS4177PR2G中文资料

厂家型号

NTMS4177PR2G

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9

功能描述

P-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

数据手册

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生产厂商

VBSEMI

NTMS4177PR2G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTMS4177PR2G

  • 功能描述

    MOSFET PFET SO8 30V 9.6A TR

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-19 14:06:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VBsemi
21+
SOP8
10065
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力
VBSEMI
24+
con
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NTMS4177PR2G 价格

参考价格:¥1.6266

型号:NTMS4177PR2G 品牌:ONSemi 备注:这里有NTMS4177PR2G多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,NTMS4177PR2G批发/采购报价,NTMS4177PR2G行情走势销售排排榜,NTMS4177PR2G报价。