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NTGD3133PT1G中文资料

厂家型号

NTGD3133PT1G

文件大小

518.83Kbytes

页面数量

9

功能描述

Dual P-Channel 20 V (D-S) MOSFET

MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO

数据手册

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生产厂商

VBsemi Electronics Co. Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

NTGD3133PT1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTGD3133PT1G

  • 功能描述

    MOSFET PFET 20V 2.3A 145MO

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-14 14:44:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON/安森美
24+
SOT23-6
45000
热卖优势现货
ON
16+
SOT23-6
12320
进口原装现货/价格优势!
NTGD3133PT1G
2019+PB
SOT23-6
9000
13632880263
ON/安森美
2019+PB
SOT23-6
9000
原装正品 可含税交易
ON/安森美
TSOP6
7906200
ON
2016+
SOT23-6
3500
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ON
2016+
SOT23-6
6528
只做原装正品现货!或订货
ON
19+
SOT-163
87735
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂;
ON
23+
SOT-163
63000
原装正品现货
ON
2020+
SOT23-6
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增

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  • VINCOTECH
  • Vishay

VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9545条

微碧半导体创建于2003年春,是一家集MOSFET晶圆开发设计,封装测试,销售服务,技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商,致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管,使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾,公司以VBsemi品牌系列产品为核心,积极批量开发,并严格执行ISO9001国际质量标准,拥有10余认证以及多种荣誉称号。