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NTD65N03R-1G中文资料

厂家型号

NTD65N03R-1G

文件大小

995.71Kbytes

页面数量

7

功能描述

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

MOSFET 25V 65A N-Channel

数据手册

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生产厂商

VBsemi Electronics Co. Ltd

简称

VBSEMI微碧半导体

中文名称

微碧半导体(台湾)有限公司官网

LOGO

NTD65N03R-1G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    NTD65N03R-1G

  • 功能描述

    MOSFET 25V 65A N-Channel

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-3-29 10:01:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON
08+(pbfree)
DPAK3(SINGLEGAUGE
8866
ON
23+
DPAK-3
2500
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23+
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19
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VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体(台湾)有限公司

中文资料: 9522条

微碧半导体创建于2003年春,是一家集MOSFET晶圆开发设计,封装测试,销售服务,技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商,致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管,使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾,公司以VBsemi品牌系列产品为核心,积极批量开发,并严格执行ISO9001国际质量标准,拥有10余认证以及多种荣誉称号。