位置：NTD4906N-1G > NTD4906N-1G详情
NTD4906N-1G中文资料
NTD4906N-1G产品属性
- 类型
描述
- 型号
NTD4906N-1G
- 功能描述
MOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
更新时间：2024-5-21 14:11:00
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBSEMI |
19+ |
IPAK |
29600 |
绝对原装现货,价格优势! |
|||
PTIF |
2310+ |
SOP/DIP |
3699 |
优势代理渠道,原装现货,可全系列订货 |
|||
ON |
08+(pbfree) |
DPAK3(SINGLEGAUGE |
8866 |
||||
ON |
23+ |
TO-251 |
11846 |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
23+ |
N/A |
30650 |
正品授权货源可靠 |
||||
三年内 |
1983 |
纳立只做原装正品13590203865 |
|||||
ON |
2020+ |
TO-251 |
80000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
ON |
20+ |
TO-251 |
90000 |
全新原装正品/库存充足 |
|||
ON/安森美 |
21+ |
TO-252 |
30000 |
只做正品原装现货 |
|||
ON |
21+ |
NA |
3000 |
进口原装 假一罚十 现货 |
NTD4906N-1G 资料下载更多...
NTD4906N-1G 芯片相关型号
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
VBsemi Electronics Co. Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9545条
微碧半导体创建于2003年春，是一家集MOSFET晶圆开发设计，封装测试，销售服务，技术员支持为一体的国家高新技术企业。 我们服务于中高端市场的终端制造商，致力于为贵公司提供高品质的MOS场效应管，使您的公司在当今竞争激烈的市场中取得成功。 微碧研发总部位于中国台湾，公司以VBsemi品牌系列产品为核心，积极批量开发，并严格执行ISO9001国际质量标准，拥有10余认证以及多种荣誉称号。
