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位置：MTB30P06VT4G > MTB30P06VT4G详情

MTB30P06VT4G中文资料

MTB30P06VT4G
厂家型号

MTB30P06VT4G
文件大小

915.91Kbytes
页面数量

7页
功能描述

P-Channel 60 V (D-S) MOSFET

MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm
数据手册

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生产厂商

VBSEMI

相近规格书

MTB30P06VT4G产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    MTB30P06VT4G

  • 功能描述

    MOSFET PFET D2PAK 60V 30A 80mOhm

  • RoHS

    否

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS（导通）

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

MTB30P06VT4G供应商...

更新时间：2025-12-1 10:28:00
供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市高捷芯城科技有限公司
MTB30P06VT4G
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MTB30P06VT4G 价格

参考价格：￥0.0000

型号：MTB30P06VT4G 品牌：ON SEMICONDUCTOR 备注：这里有MTB30P06VT4G多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，MTB30P06VT4G批发/采购报价，MTB30P06VT4G行情走势销售排排榜，MTB30P06VT4G报价。

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