位置：AO4712 > AO4712详情
AO4712中文资料
AO4712数据手册规格书PDF详情
FEATURES
• Halogen-free
• TrenchFET® Power MOSFET
• Optimized for High-Side Synchronous
Rectifier Operation
• 100 Rg Tested
• 100 UIS Tested
APPLICATIONS
• Notebook CPU Core
- High-Side Switch
AO4712产品属性
- 类型
描述
- 型号
AO4712
- 功能描述
MOSFET N-CH 30V 11.2A 8-SOIC
- RoHS
是
- 类别
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列
SRFET™
- 标准包装
1,000
- 系列
MESH OVERLAY™ FET
- 型
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大
40W
- 安装类型
通孔
- 封装/外壳
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装
TO-220FP
- 包装
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOS/万代 |
24+ |
SOP8 |
8950 |
BOM配单专家,发货快,价格低 |
|||
AOS/万代 |
21+ |
SOP-8 |
20000 |
全新原装 公司现货 价优 |
|||
AOS美国万代 |
24+ |
SOP-8 |
189008 |
专营AOS美国万代 优势现货 AOS全系列 场效应管 |
|||
AOS(万代) |
24+ |
标准封装 |
17388 |
我们只是原厂的搬运工 |
|||
AOS/万代 |
2019+ |
SOP8 |
3333 |
原厂渠道 可含税出货 |
|||
ALPHA |
24+ |
SO8 |
8000 |
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增 |
|||
AOS |
23+ |
SOP8 |
6288 |
原厂原装正品 |
|||
AO/万代 |
2021+ |
SOP-8 |
9000 |
原装现货,随时欢迎询价 |
|||
AO/万代 |
23+/24+ |
SOP-8 |
9865 |
原装MOS管(场效应管). |
|||
AOS/万代 |
24+ |
SOP-8 |
498284 |
免费送样原盒原包现货一手渠道联系 |
AO4712 资料下载更多...
AO4712 芯片相关型号
- 860010673012
- 860010774013
- 860020372001
- C25DRD315_
- C335KD3A4
- CT4M-I2
- CT4Y-2P4T
- E5CZ-Q2MT
- E5CZ-Q2T
- E5DC
- FWS-7520W3-H25-A10-000
- GRM0335C1E120GA01W
- GRM0335C1E130GA01W
- GRM0335C1E200JA01J
- GRM0335C1E5R8DA01W
- H2014B-3
- HA3R300S
- HA3R600S8
- HAA-141N
- HAH-302M
- LQP03TN82NHZ2
- LQW03AW9N1J00D
- MA000845528
- OMNI-2155HTT-A1-1010
- TL062CPSLE
- TL064BCP
- TL082CPWLE
- TL084BCDE4
- TL084CPWG4
- ZXMS6004FFQ
VBSEMI相关电路图
Datasheet数据表PDF页码索引
- P1
- P2
- P3
- P4
- P5
- P6
- P7
- P8
- P9
- P10
- P11
- P12
- P13
- P14
- P15
- P16
- P17
- P18
- P19
- P20
- P21
- P22
- P23
- P24
- P25
- P26
- P27
- P28
- P29
- P30
- P31
- P32
- P33
- P34
- P35
- P36
- P37
- P38
- P39
- P40
- P41
- P42
- P43
- P44
- P45
- P46
- P47
- P48
- P49
- P50
- P51
- P52
- P53
- P54
- P55
- P56
- P57
- P58
- P59
- P60
- P61
- P62
- P63
- P64
- P65
- P66
- P67
- P68
- P69
- P70
- P71
- P72
- P73
- P74
- P75
- P76
- P77
- P78
- P79
- P80
- P81
- P82
- P83
- P84
- P85
- P86
- P87
- P88
- P89
- P90
- P91
- P92
- P93
- P94
- P95
- P96
- P97
VBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体（台湾）有限公司
中文资料: 9673条
微碧半导体（台湾）有限公司（VBsemi Electronics Co.,Ltd）是一家国家高新技术企业，专注于中低压MOSFET（12V~250V）、高压MOSFET（300V~1000V）、超结MOSFET（500V~1700V）功率MOSFET的制造，涵盖了晶圆开发与设计、封装与测试、销售服务及技术支持。企业研发中心位于中国台湾新竹。 VBsemi以自主品牌“VBsemi”为核心，积极开展大规模生产，致力于为中高端市场的终端制造商提供服务。公司整体生产系统严格遵循ISO9001国际质量标准，拥有20多项专利、软件著作权及各类荣誉称号。同时，企业引进了多台先进的国外设备，涵盖了功率器件的直
