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VTP1232

VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION This photodiode features the largest detection area available in a clear, endlooking T-1¾ package. Combined with excellent dark current, it can fulfill the demands of many difficult applications.

PERKINELMER

快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为2.326mm2,光谱响应范围介于400nm和1100nm之间。\n\n我们的快速响应硅光电二极管系列设计用于提供低结电容,可实现快速响应能力,并且可以在反向偏置下工作,以减小电容并进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的设备中,这些光电二极管也可以光伏模式工作。\n\n这些器件可以在IR光谱范围内作出灵敏响应,并且也与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点:\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%,可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n • 感光面积 = 2.326 mm2• 短路电流=在100fc,2850K时,最小值为21 µA,• 暗电流=在10V反向偏压时,最大值为25nA• 结电容 = 最大值100 pF(偏压为0 V时)• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±70度,;

EXCELITAS

埃赛力达

快速响应硅光电二极管

这种快速响应的硅光电二极管的感光面积为2.326mm2,光谱响应介于400nm和1100nm之间。\n\n我们的快速响应光电二极管系列设计用于提供低结电容,可实现快速响应能力,并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容,从而进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的应用中,这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些器件在IR光谱范围内有很好的响应,与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点:\n\n可见光和近红外光谱范围\n\n线性范围1-2%,可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定值\n\n符 • 感光面积 = 2.326 mm2• 短路电流=在100fc,2850K时,最小值为100 µA,• 响应度 = 最小值为0.06 A/(W/cm2), 880 nm• 暗电流=在10V反向偏压时,最大值为25nA• 结电容= 在0V偏压时最大值为0,3nF• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±20度,;

EXCELITAS

埃赛力达

烟雾探测光电部件

这种快速响应硅光电二极管的感光面积为2,326mm2,设计用于实现400nm至1100nm的光谱响应范围。\n\n该系列光电二极管设计用于提供低结电容,可实现快速响应能力,并且可以在反向偏置下正常工作以减小电容,从而进一步提高响应速度。在不太注重响应速度的情况下,这些光电二极管还能以光伏模式正常工作。\n\n这些光电二极管可以在IR光谱范围内作出灵敏响应,并且也与埃赛力达红外LED VTE系列非常匹配。\n\n功能与优点:\n\n在近红外光谱范围内可见\n\n线性范围1-2%,可适使用70到 90年\n\n低暗电流\n\n高分流电阻\n\n低结电容\n\n快速响应\n\n高反向电压额定 • 感光面积=2.326mm2• 短路电流=在100fc,2850K时,最小值为100 µA,• 响应度 = 最小值为0.06 A/(W/cm2), 880 nm• 暗电流=在10V反向偏压时,最大值为25nA• 结电容= 在0V偏压时最大值为0,3nF• 光谱范围 = 400 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,60A/W• 角响应=50%响应时成±20度,;

EXCELITAS

埃赛力达

封装/外壳:径向 包装:盒 描述:SENSOR PHOTODIODE 920NM RADIAL 传感器,变送器 光学传感器 - 光电二极管

EXCELITAS

埃赛力达

Integrated Circuit Audio Amplifier for Car Radio, 8W

Description: The NTE1232 is a Class B audio amplifier in a 5–Lead TO220 type package designed for driving low impedance loads (down to 1.6Ω). This device provides a high output current capability (up to 3.5A), very low harmonic and cross–over distortion. Features: • Low Number of Extern

NTE

12-Bit, uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters

文件:361.79 Kbytes Page:18 Pages

NSC

国半

12-Bit, uP Compatible, Double-Buffered D to A Converters

文件:361.79 Kbytes Page:18 Pages

NSC

国半

Microprocessor Monitor

文件:95.11 Kbytes Page:8 Pages

ONSEMI

安森美半导体

VTP1232产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VTP1232

  • 制造商

    PERKINELMER

  • 制造商全称

    PerkinElmer Optoelectronics

  • 功能描述

    VTP Process Photodiodes

更新时间:2026-5-14 11:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
LITTELFUSE/力特
2447
SMD
100500
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货
ON/安森美
23+
SOT-23
69820
终端可以免费供样,支持BOM配单!
TETYCO
23+
NA
8000
只做原装现货
RYC
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原厂原装
1051
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RAYCHEM
23+
RAYCHEM
28520
原厂授权代理分销现货只做原装正迈科技样品支持现货
RAYCHEM
24+
34500
TE/泰科
24+
NA
47186
郑重承诺只做原装进口现货
TE/泰科
2608+
/
470984
一级代理,原装现货
TYCO
25+
XX
10
普通
RYC
24+
6868
原装现货,可开13%税票

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