VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a recessed ceramic package. Chip is coated with a protective layer of epoxy. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in recessed ceramic package. The package incorporates an infrared rejection filter. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response.

蓝光增强型硅光电二极管

VTB8440BH蓝光增强型硅光电二极管的感光面积为5.16 mm2，主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。此光电二极管同时采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n\n\n功能与优点： \n\n可见光光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n\n\n应用领域： \n\n环境光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n\n光度测定 • 感光面积 = 5.16 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为4 µA，• 暗电流=在2V反向偏压时，最大值为2nA• 结电容 = 典型值1.0 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 330 nm至720 nm• 峰值光谱响应=580 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,29A/W• 角响应 = ±50度（50%响应时）;

蓝光增强型硅光电二极管

VTB8440H蓝光增强型硅光电二极管的感光面积为5.16 mm2，光谱响应范围介于320和1100 nm之间。此系列P-on-N硅平面光电二极管的设计旨在实现在可见光光谱范围内的最佳响应。\n\n这些光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它们同时具有极高的分流电阻，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点：\n\nUV至近IR光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\nUV和蓝光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n\n光度测定 • 感光面积 = 5.16 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为35 µA，• 暗电流=在2V反向偏压时，最大值为2nA• 结电容 = 典型值1.0 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 320 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,5A/W• 角响应 = ±50度（50%响应时）;

封装/外壳：径向 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：SENSOR PHOTODIODE 580NM RADIAL 传感器，变送器 光学传感器 - 光电二极管

0.800-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

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VTP Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Planar silicon photodiode in a recessed ceramic package. Chip is coated with a protective layer of clear epoxy. These diodes exhibit low dark current under reverse bias and fast speed of response.

0.800-INCH SEVEN SEGMENT DISPLAYS

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