VTB Process Photodiodes

VTB Process Photodiodes Large area planar silicon photodiode in a dual lead TO-8 package with a UV transmitting “flat” window. Cathode is common to the case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Storage Temperature: -40°C t

蓝光增强型硅光电二极管

此UV增强型硅光电二极管的感光面积为37.7 mm2，其设计旨在实现200 nm至1100 nm之间的最佳光谱响应。\n\n此系列P-on-N硅平面光电二极管的设计旨在实现在UV和可见光光谱范围内的最佳响应。这些光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它们同样采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点：\n\nUV至近IR光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流\n\n极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\nUV和蓝光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\ • 感光面积 = 37.7 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为260 µA，• 暗电流=在2V反向偏压时，最大值为2nA• 结电容 = 典型值8 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 200 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,5A/W• 365 nm时的灵敏度 = 典型值0.1 A/W• 220 nm时的灵敏度 = 最小值0.04 A/W• 角响应 = ±55度（50%响应时）;

VTB Process Photodiodes

PRODUCT DESCRIPTION Large area planar silicon photodiode in a three lead TO-8 package with a UV transmitting window. Chip is isolated from case. Third lead is grounded to case. These diodes have very high shunt resistance and have good blue response. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS Storage Tem

蓝光增强型硅光电二极管

此UV增强型硅光电二极管的感光面积为37.7 mm2，在200 nm至1100 nm之间具有最佳的光谱响应。\n\n此系列P-on-N硅平面光电二极管的设计旨在实现在UV和可见光光谱范围内的最佳响应。这些光电二极管主要在光伏模式下使用，但也可以在较小的反向偏压下工作。它们同样采用极高分流电阻的设计，因此在高增益互阻抗运放电路中使用时偏置量较小。\n\n功能与优点：\n\nUV至近IR光谱范围\n\n在70至90年内保持1%-2%的线性度\n\n极弱暗电流，极高分流电阻\n\n符合RoHS标准\n\n应用领域：\n\nUV和蓝光传感\n\n光照度计\n\n火焰监测\n\n光度测定 • 感光面积 = 37.7 mm2• 短路电流=在100fc，2850K时，最小值为260 µA，• 暗电流=在2V反向偏压时，最大值为2nA• 结电容 = 典型值8 nF（偏压为0 V时）• 光谱范围 = 200 nm至1100 nm• 峰值光谱响应=920 nm• 峰值波长的灵敏度=通常为0,5A/W• 365 nm时的灵敏度 = 典型值0.1 A/W• 220 nm时的灵敏度 = 最小值0.04 A/W• 角响应 = ±55度（50%响应时）;

Precision CMOS Single Micropower Operational Amplifier

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