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VSSB420S-M3_V01

Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier

FEATURES • Low profile package • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low power losses, high efficiency • Low forward voltage drop • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorization: for definitions of compliance please see

VishayVishay Siliconix

威世威世科技公司

更新时间:2025-10-27 20:00:00
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