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VS-50MT060WHTAPBF价格
参考价格：￥299.6448
型号：VS-50MT060WHTAPBF 品牌：Vishay Semiconductor Dio 备注：这里有VS-50MT060WHTAPBF多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VS-50MT060WHTAPBF批发/采购报价，VS-50MT060WHTAPBF行情走势销售排行榜，VS-50MT060WHTAPBF报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家 企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VS-50MT060WHTAPBF | Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A 文件：154.93 Kbytes Page：6 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 |   | |
VS-50MT060WHTAPBF | 封装/外壳：12-MTP 模块 包装：盒 描述：IGBT MODULE 600V 114A 658W MTP 分立半导体产品 晶体管 - IGBT - 模块 | ETC 知名厂家 | ETC | |
VS-50MT060WHTAPbF | Half Bridge IGBT MTP (Warp Speed IGBT), 114 A | VishayVishay Siliconix 威世科技 | | |
LOW SIDE CHOPPER IGBT MTP Ultrafast Speed IGBT Features • Gen. 4 Ultrafast Speed IGBT Technology • HEXFRED TM Diode with UltraSoft Reverse Recovery • Very Low Conduction and Switching Losses • Optional SMT Thermistor (NTC) • Aluminum Nitride DBC • Very Low Stray Inductance Design for High Speed Opera | IRF | | ||
Ultrafast Speed IGBT Features • Gen. 4 Ultrafast Speed IGBT Technology • HEXFRED™ Diode with UltraSoft Reverse Recovery • Very Low Conduction and Switching Losses • Optional SMD Thermistor (NTC) • Al2O3 DBC • Very Low Stray Inductance Design for High Speed Operation • UL approved ( file E78996 ) | IRF | | ||
LOW SIDE CHOPPER IGBT MTP Ultrafast Speed IGBT Features • Gen. 4 Ultrafast Speed IGBT Technology • HEXFRED TM Diode with UltraSoft Reverse Recovery • Very Low Conduction and Switching Losses • Optional SMT Thermistor (NTC) • Aluminum Nitride DBC • Very Low Stray Inductance Design for High Speed Opera | IRF | | ||
Ultrafast Speed IGBT Features • Gen. 4 Ultrafast Speed IGBT Technology • HEXFRED™ Diode with UltraSoft Reverse Recovery • Very Low Conduction and Switching Losses • Optional SMD Thermistor (NTC) • Al2O3 DBC • Very Low Stray Inductance Design for High Speed Operation • UL approved ( file E78996 ) | IRF | | ||
Low Side Chopper IGBT MTP (Ultrafast Speed IGBT), 100 A 文件：230.77 Kbytes Page：10 Pages | VishayVishay Siliconix 威世科技 | |
VS-50MT060WHTAPBF产品属性
- 类型
描述
- 型号
VS-50MT060WHTAPBF
- 功能描述
IGBT 模块 600 Volt 50 Amp Half Bridge
- RoHS
否
- 制造商
Infineon Technologies
- 产品
IGBT Silicon Modules
- 配置
Dual 集电极—发射极最大电压
- VCEO
600 V
- 集电极—射极饱和电压
1.95 V 在25
- C的连续集电极电流
230 A
- 栅极—射极漏泄电流
400 nA
- 功率耗散
445 W
- 最大工作温度
+ 125 C
- 封装/箱体
34MM
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Vishay(威世) |
24+ |
N/A |
7350 |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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25+ |
模块 |
4500 |
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模块原 |
3600 |
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VISHAY |
1725+ |
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7500 |
只做原装进口,假一罚十 |
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LAMBDA |
2447 |
SMD |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
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TDK-LAMBD |
24+ |
DIP |
500 |
TDK-LAMBDA电源专营现货原装正品专营 |
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Vishay |
24+ |
NA |
3000 |
进口原装正品优势供应 |
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Vishay General Semiconductor - |
23+ |
标准封装 |
2000 |
全新原装正品现货直销 |
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24+ |
N/A |
64000 |
一级代理-主营优势-实惠价格-不悔选择 |
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Vishay General Semiconductor - |
25+ |
DO-203AB(DO-5) |
9350 |
独立分销商 公司只做原装 诚心经营 免费试样正品保证 |
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2022-7-30VS6038AD
VS6038AD，全新.当天发货或门市自取，如需了解更多产品信息联系我们.零七五五.八二七三二二九一/零七五五，八五二七四六六二 ，企鹅:一一七四零五二三五三/一八五二三 四六九零六.V:八七六八零五五八.
2021-6-17VS3509AE
VS3509AE，全新原装当天发货或门市自取0755-82732291.
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2019-8-27
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