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VS-3C10ET07T-M3

650 V Power SiC Gen 3 Merged PIN Schottky Diode, 10 A

FEATURES • Majority carrier diode using Schottky technology on SiC wide band gap material • Improved VF and efficiency by thin wafer technology • Positive VF temperature coefficient for easy paralleling • Virtually no recovery tail and no switching losses • Temperature invariant switching

VishayVishay Siliconix

威世科技威世科技半导体

更新时间:2025-8-11 17:19:00
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