VP2206N2价格

参考价格:¥77.5852

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型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VP2206N2

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETs

Advanced DMOS Technology These enhancement-mode (normally-off) transistors utilize a vertical DMOS structure and Supertex’s well-proven silicon-gate manufacturing process. This combination produces devices with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedan

SUTEX

P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET

文件:824.77 Kbytes Page:14 Pages

Microchip

微芯科技

VP2206N2产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VP2206N2

  • 功能描述

    MOSFET 60V 0.9Ohm

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 23:01:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
VISHAY/威世
24+
NA/
3550
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MICROCHIP(美国微芯)
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