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VNV10N07

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNV10N07

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNV10N07

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNV10N07

封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNV10N07

OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

STMICROELECTRONICS

意法半导体

封装/外壳:PowerSO-10 裸露底部焊盘 包装:卷带(TR)剪切带(CT) 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp

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意法半导体

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

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意法半导体

Discrete Diodes

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SIRECTIFIER

矽莱克电子

10 Ampere Heatsink Dual Tandem Polarity General Purpose Rectifier Diodes

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THINKISEMI

思祁半导体

VNV10N07产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNV10N07

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 N-Ch 70V 10A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻(最大值)

    85 mOhms

  • 开启时间(最大值)

    400 us

  • 关闭时间(最大值)

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

更新时间:2026-1-28 13:44:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STMicroelectronics
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N/A
18798
正规渠道,免费送样。支持账期,BOM一站式配齐
STMicroelectronics
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18798
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原装,请咨询
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