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型号	功能描述	生产厂家&企业	LOGO	操作
VNS7NV04PTR-E	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET Description TheVNN7NV04P-E,VNS7NV04P-E,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPower™M0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthech	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNS7NV04PTR-E	封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO 集成电路（IC）配电开关，负载驱动器	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND7NV04	?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVNN7NV04,VNS7NV04,VND7NV04VND7NV04-1,aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50kHzapplications.Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND7NV04	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET 文件：618.75 Kbytes Page：37 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND7NV04	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET 文件：619.37 Kbytes Page：37 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND7NV04-E	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET 文件：619.37 Kbytes Page：37 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VND7NV04TR-E	OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET 文件：619.37 Kbytes Page：37 Pages	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

VNS7NV04PTR-E产品属性

类型
描述
型号
VNS7NV04PTR-E
功能描述
MOSFET OMNIFET II VIPower 60mOhm 6A 40V
RoHS
否
制造商
STMicroelectronics
晶体管极性
N-Channel
汲极/源极击穿电压
650 V
闸/源击穿电压
25 V
漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）
0.014 Ohms
配置
Single
安装风格
Through Hole
封装/箱体
Max247
封装
Tube

VNS7NV04PTR-E供应商更多...

更新时间：2024-5-21 12:20:00

IC供应商	芯片型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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2021-9-17
VO2223A
?VO2223A,当天发货0755-82732291全新原装现货或门市自取.
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VO1400AEFTR?原装现货供应
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2019-12-26

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