VNS1NV04P-E价格

参考价格:¥2.7360

型号:VNS1NV04P-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNS1NV04P-E多少钱,2024年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNS1NV04P-E批发/采购报价,VNS1NV04P-E行情走势销售排行榜,VNS1NV04P-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VNS1NV04P-E

OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET

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意法半导体意法半导体(ST)集团

STMICROELECTRONICS
VNS1NV04P-E

封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

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?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect

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forcarbodyapplications

Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA

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VNS1NV04P-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNS1NV04P-E

  • 功能描述

    MOSFET OMNIFET POWER MOSFET 40V 1.7 A

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-5-16 8:30:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
STM
2016+
SOP8
6000
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ST
21+
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2200
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ST
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一级代理/分销渠道价格优势 十年芯程一路只做原装正品
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25000
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