位置:首页 > IC中文资料第386页 > VNS1NV04DTR-E
型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
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VNS1NV04DTR-E | 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | ||
?쏰MNIFETII??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET Description TheVND1NV04,VNN1NV04,VNS1NV04aremonolithicdevicesdesignedinSTMicroelectronicsVIPowerM0-3Technology,intendedforreplacementofstandardPowerMOSFETsfromDCupto50KHzapplications. Builtinthermalshutdown,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotect | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | |||
forcarbodyapplications Description TheL5958includes6linearvoltageregulatorsanda2Apowerswitch,workingdownto4.5Vbatterylevel.Allthevoltageregulatorscanbeswitchedoffthroughthethreeenablepins. Features ■L5958sixoutputs: –8.5V@200mA –5.0V@300mA –3.3V@250mA | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | |||
OMNIFETIIfullyautoprotectedPowerMOSFET 文件:538.37 Kbytes Page:33 Pages | STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体(ST)集团 | |||
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VNS1NV04DTR-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
VNS1NV04DTR-E
- 功能描述
MOSFET N-Ch 40V 1.7A Omni
- RoHS
否
- 制造商
STMicroelectronics
- 晶体管极性
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压
650 V
- 闸/源击穿电压
25 V
- 漏极连续电流
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通)
0.014 Ohms
- 配置
Single
- 安装风格
Through Hole
- 封装/箱体
Max247
- 封装
Tube
IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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ST |
2021+ |
23+ |
16500 |
代理授权直销,原装现货,假一罚十,长期稳定供应,特 |
|||
ST |
23+ |
15000 |
工厂库存 实单可谈 |
||||
ST |
22 |
SOP-8 |
25000 |
3月31原装,微信报价 |
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ST |
2022 |
SOP8 |
5280 |
原厂原装正品,价格超越代理 |
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ST |
2020+ |
SOP8 |
23182 |
公司主营品牌,全新原装现货超低价! |
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ST |
21+ |
SOP8 |
6000 |
绝对原裝现货 |
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ST |
20+ |
SOP-8 |
25000 |
全新原装现货,假一赔十 |
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ST |
1709+ |
SOP8 |
19999 |
优势 |
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ST/意法 |
SOP-8 |
45500 |
原盒原标,正品现货 诚信经营 价格美丽 假一罚十 |
||||
ST |
23+ |
SOP-8 |
8750 |
进口原装假一赔十 |
VNS1NV04DTR-E规格书下载地址
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2022-3-28VNS1NV04DPTR-E产品种类:门驱动器
VNS1NV04DPTR-E
2021-9-17
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