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位置：首页 > IC中文资料第1394页 > VNP28N04FI-E

型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNP28N04

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments. F

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP28N04

FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04 is a monolithic device made using STMicroelectronics VIPower Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments. F

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNB28N04

?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

DESCRIPTION The VNP28N04FI, VNB28N04 and VNV28N04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNB28N04

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件：226.76 Kbytes Page：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNB28N04-E

OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

文件：226.76 Kbytes Page：13 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VNP28N04FI-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNP28N04FI-E

  • 功能描述

    电源开关 IC - 配电 N-Ch 42V 28A OmniFET

  • RoHS

    否

  • 制造商

    Exar

  • 输出端数量

    1

  • 开启电阻（最大值）

    85 mOhms

  • 开启时间（最大值）

    400 us

  • 关闭时间（最大值）

    20 us

  • 工作电源电压

    3.2 V to 6.5 V

  • 最大工作温度

    + 85 C

  • 安装风格

    SMD/SMT

  • 封装/箱体

    SOT-23-5

VNP28N04FI-E供应商更多...

更新时间：2025-10-18 20:00:02
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
深圳市得捷芯城科技有限公司
VNP28N04
ST/意法
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    2012-11-11

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