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VNP28N04-E

FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET

DESCRIPTION TheVNP28N04isamonolithicdevicemadeusingSTMicroelectronicsVIPowerTechnology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications. Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharshenviroments. F

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意法半导体意法半导体(ST)集团

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VNP28N04-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNP28N04-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 42V 28A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2024-6-22 14:50:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
TO-220
10000
100%进口原装正品现货,公司原装现货众多欢迎加微信咨
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原装现货,欢迎询价
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TO-220
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原装品牌
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TO220ABNONISOL
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公司只做原装正品
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只做原装,质量保证
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