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VNP10N07-E价格
参考价格：￥5.2497
型号：VNP10N07-E 品牌：STMicroelectronics 备注：这里有VNP10N07-E多少钱，2025年最近7天走势，今日出价，今日竞价，VNP10N07-E批发/采购报价，VNP10N07-E行情走势销售排行榜，VNP10N07-E报价。| 型号 | 功能描述 | 生产厂家&企业 | LOGO | 操作 |
|---|---|---|---|---|
VNP10N07-E | FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP10N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linearcurrent limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh | STMICROELECTRONICS 意法半导体 |   | |
VNP10N07-E | 封装/外壳：TO-220-3 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB 集成电路（IC） 配电开关，负载驱动器 | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | |
?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages | STMICROELECTRONICS 意法半导体 | | ||
Discrete Diodes 文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages | SIRECTIFIER 矽莱克电子 | | ||
10 Ampere Heatsink Dual Tandem Polarity General Purpose Rectifier Diodes 文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages | THINKISEMI 思祁半导体 | |
VNP10N07-E产品属性
- 类型
描述
- 型号
VNP10N07-E
- 功能描述
电源开关 IC - 配电 N-Ch 70V 10A OmniFET
- RoHS
否
- 制造商
Exar
- 输出端数量
1
- 开启电阻（最大值）
85 mOhms
- 开启时间（最大值）
400 us
- 关闭时间（最大值）
20 us
- 工作电源电压
3.2 V to 6.5 V
- 最大工作温度
+ 85 C
- 安装风格
SMD/SMT
- 封装/箱体
SOT-23-5
| IC供应商 | 芯片型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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2012-11-11
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