VNP10N06-E价格

参考价格:¥4.6537

型号:VNP10N06-E 品牌:STMicroelectronics 备注:这里有VNP10N06-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VNP10N06-E批发/采购报价,VNP10N06-E行情走势销售排行榜,VNP10N06-E报价。
型号 功能描述 生产厂家 企业 LOGO 操作
VNP10N06-E

封装/外壳:TO-220-3 包装:管件 描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 TO220AB 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

Features: ● Low Gate Charge for Fast Switching Application ● Low RDS(ON) to Minimize Conductive Loss ● 100% EAS Guaranteed ● Optimized V(BR)DSS Ruggedness ● Green Device Available Description: These N-Channel enhancement mode power field effect transistors are using trench DMOS techno

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爱德微

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

Product Summary: BVDSS 60V RDSON (MAX.) 10mΩ ID 100A UIS, Rg 100 Tested Pb‐Free Lead Plating & Halogen Free

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杰力科技

N?륝hannel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor

文件:224.35 Kbytes Page:6 Pages

EXCELLIANCE

杰力科技

N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

文件:749.32 Kbytes Page:7 Pages

HMSEMI

华之美半导体

N-Channel MOSFET

文件:716 Kbytes Page:5 Pages

KEXIN

科信电子

VNP10N06-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VNP10N06-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 60V 10A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-10-18 16:43:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
2021+
TO-220
7600
原装现货,欢迎询价
ST/意法半导体
21+
TO-220
10000
只做原装,质量保证
ST(意法半导体)
24+
TO-220
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特价优势库存质量保证稳定供货
ST
24+
TO-220AB
1400
只做原装只有原装假一罚百可开增值税票
ST
24+
TO220ABNONISOL
8866
ST/意法
25+
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860000
明嘉莱只做原装正品现货
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原厂封装
9800
原装进口公司现货假一赔百
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24+
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80000
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增
ST(意法半导体)
24+
TO-220
5098
百分百原装正品,可原型号开票
ST(意法半导体)
2021+
TO-220
519

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