VND7NV04TR-E价格

参考价格:¥4.0382

型号:VND7NV04TR-E 品牌:STMICROELECTRONICS 备注:这里有VND7NV04TR-E多少钱,2025年最近7天走势,今日出价,今日竞价,VND7NV04TR-E批发/采购报价,VND7NV04TR-E行情走势销售排行榜,VND7NV04TR-E报价。
型号 功能描述 生产厂家&企业 LOGO 操作
VND7NV04TR-E

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

文件:619.37 Kbytes Page:37 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND7NV04TR-E

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK 集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器

STMICROELECTRONICS

意法半导体

?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VNN7NV04, VNS7NV04, VND7NV04 VND7NV04-1, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp

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意法半导体

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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意法半导体

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET

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意法半导体

VND7NV04TR-E产品属性

  • 类型

    描述

  • 型号

    VND7NV04TR-E

  • 功能描述

    MOSFET N-Ch 42V 6A OmniFET

  • RoHS

  • 制造商

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压

    650 V

  • 闸/源击穿电压

    25 V

  • 漏极连续电流

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通)

    0.014 Ohms

  • 配置

    Single

  • 安装风格

    Through Hole

  • 封装/箱体

    Max247

  • 封装

    Tube

更新时间:2025-8-12 11:42:00
IC供应商 芯片型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST
2016+
TO-252
3000
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票!
ST(意法半导体)
2021+
TO-252-2(DPAK)
499
ST/意法半导体
24+
TO-252-2(DPAK)
6000
全新原装深圳仓库现货有单必成
STM
21+
TO252
5000
全新原装公司现货
ST/意法
24+
TO252
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ST
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TO-252
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原装正品,自己库存 假一罚十
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ST
2450+
TO-252
9485
只做原厂原装正品终端客户免费申请样品
ST/意法
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TO-252
2000
只做原厂渠道 可追溯货源
ST
23+
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